رشد نانوساختارهای سیلیکانی با دستگاه LPCVD

تجهیزات رشد
وضعیت تجهیز : در حال خدمت رسانی

شرح خدمت:

دستگاه لایه نشانی بخار شیمیایی فشار پایین جهت رشد نانووایرهای سیلیکانی و نیز نانوتیوب های سیلیکانی کاربرد دارد. روش کار به این صورت است که در دما و فشار مشخص با حضور گازهای واکنش گر و به روش VLS رشد نانوساختارهای سیلیکانی با استفاده از لایه بسیار نازک طلا به عنوان کاتالیست صورت می گیرد. با استفاده از پروسه های فناوری بالای توسعه یافته توسط محققان مرکز ایجاد نانووایرهای سیلیکانی، نانوتیوب های سیلیکانی و نانوتیوب های Bilayer، نانووایرهای دارای kink های مشخص، ساختارهای شش ضلعی و ... محقق می شود. بیشینه دمای کاری دستگاه 850 درجه سانتی گراد، کمینه فشار 0.001 تور و گازهای ورودی سایلن، هیدروژن، آمونیاک، آرگون و نیتروژن هستند. کنترل های بکار رفته در دستگاه شامل کنترل فلو، فشار و دما می باشد.

 

 

 

 

مشخصات دستگاه:

بیشینه دمای کاری: 850 درجه سانتی گراد

میزان خلا: میلی تور

گازهای مورد استفاده: سایلن، هیدروژن، آمونیاک، آرگون و نیتروژن

سایز ویفر: 2 اینچ

کنترل پارامترها: دما، فشار، فلو (MFC)

لیست فایل ها

لیست خدمات

  • رشد نانو وایرهای سیلیکونی

    واحد هر ران هزینه سرویس : ۵,۰۰۰,۰۰۰ ریال
  • رشد نانوتیوب های سیلیکونی

    واحد هر ران هزینه سرویس : ۵,۵۰۰,۰۰۰ ریال