رشد اکسید سیلیکون با دستگاه کوره حرارتی

تجهیزات رشد
وضعیت تجهیز : در حال خدمت رسانی

شرح خدمت:

یکی از پروسه های مهم و اجتناب ناپذیر در فرآیند ساخت، اکسیداسیون می باشد. این عمل بر پایه قرار دادن یک نمونه (سیلیکان در بسیاری از موارد) در یک کوره از جنس کوارتز، بالا بردن دما تا 1200 درجه سانتیگراد و در محیط گازی مانند اکسیژن یا ترکیباتی مانند NO است که طی این پروسه لایه ای از اکسید سیلیکان بر روی نمونه رشد خواهد کرد. در بسیاری از موارد از گاز اکسیژن با خلوص بالا برای انجام عمل اکسیداسیون استفاده می شود که به یکی از بهترین کیفیتهای ممکن منجر می گردد، این کیفیت برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدان مناسب بوده و هنوز جایگزین خوبی برای آن پیدا نشده است، البته در فناوریهای مدرنتر بجای اکسیژن از ترکیبات اکسیژن دار استفاده می شود. در روش دیگر از آب برای رشد اکسید خیس استفاده می شود که منجر به رشدی با کیفیت پایین تر اما سرعت بالاتر می گردد. این روش نیز برای ایجاد لایه های عایق با کیفیت مناسب و بعنوان بستری برای ساخت سنسورها مناسب می باشد. 

کوره دمای بالا به طور خاص در رشد لایه اکسید یکنواخت مناسب برای اکسید گیت ترانزیستورهای اثر میدان کاربرد دارد. ماکزیمم دمای کوره 1200 درجه و امکان کار در اتمسفر گاز خنثی یا دیگر گازها در آن فراهم است. کنترل دقیق گازها با استفاده از کنترل کننده دقیق فلوی گازها انجام پذیرفته و پروسه توسعه یافته برای دستگاه برای ایجاد لایه های تکرارپذیر و بدون نشتی (مخصوصا در کاربرد به عنوان اکسید گیت) از امتیازات آن به شمار می رود.

کنترل دما در این دستگاه با دقت 1 درجه سانتی گراد صورت گرفته و استفاده از سه زون حرارتی به یکنواختی دمایی درون محفظه کمک شایانی می کند. این کوره قابلیت رشد اکسید خشک تا 150 نانومتر و اکسید تر تا 200 نانومتر را فراهم می آورد.

 

مشخصات دستگاه:

بیشینه دمای کاری: 1200 درجه سانتیگراد

اتمسفر: گاز خنثی، اکسیژن

زون حرارتی: 3 عدد

دقت دمایی: 1 درجه سانتی گراد

مکانیزم کنترل فلو: MFC

سایز ویفر: 2 اینچ

 

لیست فایل ها

لیست خدمات

  • رشد اکسید تر تا 200 نانومتر

    واحد هر ران هزینه سرویس : ۱,۸۰۰,۰۰۰ ریال
  • رشد اکسید خشک تا 150 نانومتر

    واحد هر ران هزینه سرویس : ۲,۰۰۰,۰۰۰ ریال