لایه نشانی با دستگاه RF-PECVD

شرح خدمت:

این دستگاه برای لایه نشانی لایه های نیمه هادی از جنس سیلیکان آمورف و نیز لایه سیلیکان نایتراید (SiN) و یا اکسید سیلیکان مورد استفاده قرار می گیرد. دمای لایه نشانی بین 150 تا 350 درجه سانتیگراد می تواند تنظیم گردد و از یک ژنراتور فرکانس رادیویی با توان 300 وات می توان برای بهبود لایه نشانی استفاده کرد.

این سامانه مجهز به پنج کنترل کننده فلوی گاز (MFC) برای گازهایی مانند هیدروژن- سیلان- آمونیاک- نیتروژن و اکسید نیتروژن می باشد که با ترکیب مناسب گازها، توان و مدت زمان اعمال پلاسما از یک طرف و نیز دمای بستر و فشار محفظه کاری از طرف دیگر می توان به ضخامت و کیفیت مناسب دست یافت. اساسا لایه هایی که با این تکنیک لایه نشانی می گردند از نوع آمورف بوده و بصورت کریستالی نیستند. با توجه به اینکه دمای لایه نشانی در این سامانه بسیار کمتر از 750 درجه سانتیگراد می باشد، لایه های سیلیکان و سیلیکان نایتراید (SiN) برای ساخت ادوات دمای پایین مانند ترانزیستورهای اثر میدان برروی شیشه و بسترهای قابل انعطاف محقق می گردد.

مشخصات دستگاه:

محفظه خلا: به قطر 40 سانتیمتر

میزان خلا: میلی تور

دمای کاری: 150 تا 350 درجه سانتیگراد

منبع تغذیه: ژنراتور فرکانس رادیویی با توان 300 وات و فرکانس 13.56MHz

کنترل: کنترل فشار، دما، فلو (MFC)، ولتاژ

سیستم کنترل دما و شرایط پلاسما با امکان تنظیم خودکار مدار تطبیق

گازهای مورد استفاده: هیدروژن، سایلن، آمونیاک، نیتروژن و اکسید نیتروژن